国家/地区 韩国（200）
IPC部 C（125） H（121） B（118）
G（21） D（5）
IPC大类 H01（115） C01（98） B82（89）
B32（40） C23（38） B05（24）
C08（22） C09（18） B01（13）
H05（11） G01（10） C07（8）
B44（7） B29（6） C30（6）
IPC小类 C01B（97） H01L（71） B82Y（58）
B82B（51） H01B（43） B32B（40）
C23C（35） B05D（24） C08K（17）
H01M（16） C08J（11） B01J（10）
C08L（10） C09D（10） H01G（9）
IPC C01B031/02（84） C01B031/04（53） B82Y030/00（51）
B82Y040/00（43） B82B003/00（42） H01B001/04（31）
B32B009/00（19） B82B001/00（19） C23C016/26（19）
C08K003/04（13） H01L029/786（12） B05D005/12（9）
B32B009/04（8） C01B031/00（8） H01L021/20（8）
发明人 HONG B H（23） CHOI J（14） KIM H K（14）
BAE S K（11） CHOI J Y（10） AHN J（9）
AHN J H（9） SEO S A（9） CHUNG H J（8）
HEO J S（8） KIM K B（8） WOO Y S（8）
CHUNG H（7） HEO J（7） KIM T（7）
公开年 2011（200）
申请年 2010（108）  2009（48）  2011（44） 
专利权人 UNIV SUNGKYU.（34） SAMSUNG ELEC.（26） KOREA ADV IN.（12） SAMSUNG TECH.（12）
UNIV SUNGKYU.（12） GRAPHENE SQU.（10） SNU R DB FOU.（8） UNIV YONSEI .（8）
UNIV HANYANG.（7） UNIV SUNGKYU.（7） KOREA INST S.（6） UNIST ACADIN.（6）
KOREA ADVANC.（5） UNIV ULSAN F.（5） GUARDIAN GLA.（4） GUARDIAN IND（4）
GUARDIAN IND.（4） HANWHA TECHW.（4） HONG B H（4） KIM H K（4）

Manufacture of graphene involves using face centered cubic metal catalyst with single oriented texture.

CHA S W, HONG B H, HONG S Y, JUNG M H, KIM K E, KIM K H, MAENG K S, PARK C W, PARK S B

Cross-type graphene hetero-junction structure is formed by attaching primary graphene on substrate, coating polymethyl methacrylate to graphene, baking, separating polymethyl methacrylate layer, and aligning layer on secondary graphene.

LEE S W, KIM J S

Manufacturing method of graphene transfer film involves applying air pressure to at least one of graphene growth film and carrier film so that graphene and carrier film are attached to each other.

CHO S, SONG Y, CHO S H, SONG Y I

Forming graphene used in e.g. bioanalytics involves providing graphite sample having atomic layers of carbon; introducing solvent and ions into spaces between the atomic layers; expanding space; and separating the layers using driving force.

LOH K P, WANG J, JUNZHONG B, LOH K, LUO J, ZUNZHONG W

Apparatus for sensing photons comprises photon sensing layers, which consists of graphene, arranged on top of each other and intermediate layer between each adjacent sensing layers.

VOUTILAINEN M, ROUVALA M, PASANEN P

Optical film for backlight unit of LCD, has graphene layer formed on material, prism portion formed on graphene layer, pattern formed in side of prism portion, and organic layer provided between material and graphene layer.

BAE S K, CHOI J, HONG B H, KIM H K, KIM Y

Saturated absorber has single layer graphene on substrate which is optical glass that is coated with thin metallic film having hydrogen, methane and argon, where substrate is silicon or silicon dioxide.

ROTERMUND F, HONG B H, YEOM D I, CHO W B, KIM J H, LEE H W, CHOI S Y, KIM J W

Method for transferring graphene from graphene forming structure onto desired object e.g. circuit substrate, involves separating oxide layer from metal catalyst layer and removing metal catalyst layer by using etching solution.

CHO S, WON D, CHO S H, WON D K

Graphene composition, useful in electrical device, preferably e.g. sensor, bipolar junction transistor, field effect transistor and light emitting diode, comprises a graphene monolayer and an alkali metal disposed on the graphene monolayer.

SHIN H, CHOI J, AHN J, JEON C, AHN J R, CHOI J Y, JEON C H, SHIN H J

New graphene comprising a structure of carbon atoms partially substituted with boron atoms and nitrogen atoms, where the graphene has a band gap, useful in a channel of a transistor.

LEE S, SEO S, WOO Y, CHUNG H, HEO J, LEE S H, SEO S A, WOO Y S, CHUNG H J, HEO J S, HUN L S